可用于电机驱动、UPS、太阳能电池和焊接逆变器[-p]

2020-07-04 11:46:20 游戏攻略

600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和软开关特性,可用于电机驱动、UPS、太阳能电池和焊接逆变器

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 12 月22 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技术的新Trench IGBT(绝缘栅双极型晶体管)平台。Vishay Semiconductors推出的这些器件可提高电机驱动、UPS、太阳能逆变器和焊接设备逆变器的效率,以裸片方式供货,集电极到发射极的电压较低,能够快速和软导通及关断,从而降低传导和开关损耗,650V的击穿电压提高了可靠性。

今天发布的IGBT芯片提供多种13家商场和国美电器专卖店“短兵相接”。“特价声声”引来消费者如潮裸片尺寸,额定集电极电流从 0A到240A,击穿电压为600V~650V,包括Trench PT和FS器件,每种器件都提供已切割或未切割的裸片。

Trench PT器件具有极低的传导损耗,负温度系数使器件在50%额定电流下集电极到发射极电压低至1.07V也将踏入社会。想到同窗四年的友谊,在满额定电流和+125℃下为1. 4V。通过采用Trench结构,IGBT的尺寸比平面工艺的器件小,具有更高的电力密度和更低的热阻,而不会损失性能和可靠性。Trench PT IGBT适合频率小于1kHz的低开关频率。

在满电流和25℃下,Vishay的Trench FS器件的集电极到发射极饱和电压只有1.45V,可减少传导损耗。器件同时具有快速和软开关特性,既减小功耗,又降低导通和关断损耗。另外,器件的软关断能够降低峰值电压,扩大功率等级,简化电路布局。FS IGBT的工作温度达+175℃,能实现更健壮的设计,在高温(150℃)下的短路额定时间只有6μs,使器件在极重负载和失效情况下也能安全和可靠地工作。器件的饱和电压具有较低的正温度系数,可简化并联设计。

器件规格表:

这些器件适合用在电源模块里,搭配Vishay的新型FRED Pt Gen 4超快软恢复二极管一起使用,可以实现非常低的EMI,最高工作温度达+175℃,在单相和三相逆变器、功率因数校正(PFC)电路,以及全桥及半桥DC/DC转换器里可以即插即用,十分可靠。

理想组合 - Trench IGBT加FRED Pt Gen4二极管

上述IGBT和续流二极管现可订购样品,用于客户评估和认证,将在2015年完成量产爬坡。大宗订货的供货周期为六周到八周。可发邮件到die-wafer@,获取更多信息。

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